8月11日，陕西源杰半导体科技股份有限公司（以下称“源杰科技”“公司”）发布公告，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，进一步扩大高端激光器芯片产能。投资总额约426,815.67万元人民币（约42.68亿元，含土地出让金），资金来源为公司自有资金及自筹资金，不涉及募集资金。
据了解，本次新建的半导体产业园为暂定名称，最终定名有关部门最终备案名称为准。项目选址西咸新区沣西新城，规划工业用地约126亩，土地使用权年限为50年。目前项目处于前期筹备阶段，正式实施前还需依次完成项目备案、用地手续、环评审批、建设规划及施工许可等多项前置审批流程。
该项目主要建设内容包括激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地，项目建设期预计为24个月。项目聚焦高速激光器芯片领域，把握数据中心市场发展的机遇，契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。依托公司IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础，旨在通过产能扩充与工艺优化，持续响应市场需求变化，提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。
从经营发展角度看，实施本项目能够进一步提升生产效率和产品稳定性，形成稳定的高端激光器芯片规模化供应能力，以满足国内外客户持续增长的产品需求，这不仅有助于巩固公司在现有市场的竞争优势，也为把握行业技术升级带来的市场机遇创造了有利条件。同时，通过产能提升与工艺优化，增强公司的整体盈利能力与抗风险能力，为可持续发展奠定更坚实的基础。
据悉，产业园将采取分阶段建设的方式稳步推进。源杰科技将科学统筹资金使用，合理安排建设进度，项目建设过程不会影响现有主营业务正常运营，短期内也不会对公司经营和财务状况造成明显冲击，不存在损害公司及股东利益的情况。
同时，源杰科技也提示相关投资风险。公司表示，本次扩产是面向长远发展的重要战略布局，但项目建设进度、落地效果及未来收益，仍会受到宏观经济、行业政策、市场变化等不确定因素影响，整体成效存在一定不确定性，提醒投资者理性看待投资。
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