据韩媒ETNews消息，援引消息人士称，三星克服了SOCAMM2设计中的“翘曲”问题，这一难题曾是其下一代AI服务器内存模块SOCAMM2（系统级先进内存模块2）实现大规模生产前的一大障碍。报道还指出，三星通过应用其自主研发的下一代低温焊料（LTS）技术，成功解决了这一问题。
正如报道所指出的，翘曲是指组件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，其主要原因是材料之间热膨胀系数（CTE）不匹配。SOCAMM2尤其容易出现这种问题，因为它采用了一种结构：将LPDDR5X芯片组装成模块，并通过螺栓压紧固定，这增加了连接失效的风险。
报道指出，为解决这一问题，三星将焊接工艺温度从260℃以上降至150℃以下。通过大幅降低峰值温度，该公司成功地将热膨胀不匹配现象降到了最低。
SOCAMM2 是一款关键的低功耗内存模块，旨在与 NVIDIA 下一代 AI 平台 Vera Rubin 中的 HBM 配合使用。报道还指出，通过将 LTS 应用于 SOCAMM2，三星有望在开发和量产时间表上领先于竞争对手。
除了温度控制之外，三星还推出了多项设计改进。据报道，芯片封装的结构从双塔式改为单塔式，以增强机械刚性；同时，对环氧模塑化合物（EMC）的厚度和热膨胀性能进行了优化。还采用了高精度仿真模型，以提高翘曲预测的准确性。
据TheElec报道, SK海力士今年正加速向第六代（1c）DRAM转型。转向1c工艺预计将助力其AI内存产品组合的扩展，包括SOCAMM2。与此同时，中央日报报道称，3月初，美光已出货全球首批256GB SOCAMM2客户样品，其容量较三星电子和SK海力士的192GB旗舰产品提升了约33%。
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