三星电子与博通（Broadcom）近日在美国旧金山举行的AI峰会上正式签署谅解备忘录（MOU），双方将在存储器与晶圆代工领域展开为期五年的深度合作，合作总规模预计突破2000亿美元（约合1.36万亿元人民币），期限截至2030年。这一协议将两家半导体巨头的战略捆绑推向全新高度，也标志着AI芯片产业正从各自为战的分散格局，加速迈入"设计+制造"深度耦合的新阶段。
存储与代工双线并进2纳米制程落地
根据协议，双方合作覆盖存储器与晶圆代工两大核心领域。
在存储器方面，三星与博通将联合研发下一代高带宽内存（HBM）解决方案，相关技术将直接搭载于博通的下一代AI加速器，以应对大模型参数量持续膨胀下内存带宽的瓶颈问题。随着AI算力需求的指数级增长，逻辑芯片与内存芯片之间的紧密协同已成为提升整体性能的关键。
在晶圆代工方面，三星将为博通的无线宽带通信（WBC）等产品提供2纳米及以下的先进制程工艺，博通下一代通信芯片将采用三星的sub-2纳米制程生产。合作还将延伸至基于2纳米工艺的2.3D/2.5D先进封装技术，通过优化芯片集成方式进一步提升AI与网络芯片的性能和能效比。
高管发声：共建下一代AI基础设施
三星电子副董事长兼CEO、设备解决方案部负责人全永铉表示，AI的高速发展对半导体技术提出了全方位更高要求，涵盖存储、逻辑和封装等多个环节。他强调，通过扩大与博通的合作，三星不仅致力于为客户创造更大价值，也期望为未来AI基础设施建设提供技术支撑。
博通半导体解决方案总裁CharlieKawwas则表示，此次合作将三星的存储和代工专长与博通在AI和连接领域的领导力相结合，共同打造"为下一代AI基础设施提供动力的技术"。
行业格局：三星代工竞争力再加码
对三星而言，锁定博通这一头部客户具有多重战略意义：一方面大幅巩固了其在代工市场与台积电竞争中的地位，另一方面也显著提升了最先进工厂的产能利用率。值得注意的是，尽管三星此前曾与特斯拉签订165亿美元芯片合同，但本次协议的广度贯穿制造全流程，而非局限于单一产品线。
此前三星已预告将在2纳米制程上斩获更多订单，并持续推进HBM4E与HBM5等下一代内存技术合作。在台积电等竞争对手的强力挤压下，三星与SK海力士等韩国半导体企业正积极在全球范围内争夺AI芯片订单。韩国政府亦设定了五年内将存储器产能翻倍、打造世界一流制造能力的目标。
峰会效应：韩国科技代表团密集签约
另据了解，韩国总统李在明目前正率团访问硅谷并出席本次AI峰会。访问期间，多项科技合作协议相继落地，其中包括英伟达与韩国Naver、SK海力士之间的合作项目。韩国半导体产业正借助AI浪潮，加速从存储优势向"存储+代工+封装"全栈能力延伸。
业内分析认为，三星与博通的深度绑定并非个例，而是整个行业变革的缩影——科技巨头正从单纯依赖通用GPU，转向针对特定工作负载开发定制化ASIC芯片，进而驱动芯片设计与制造环节走向前所未有的紧密协作。这一趋势将在未来数年内持续重塑全球半导体产业格局。
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