10月18日，据韩国《首尔经济日报》援引业内消息人士报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺，制造英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片。英伟达为保障产品性能一致性，已向三星电子、SK海力士、美光三家存储厂商提出统一规范，要求三家企业在NVHBM基底裸片制造环节均使用台积电3纳米工艺，核心DRAM裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。本次安排，是三星首次在HBM制造环节与台积电开展合作。
NVHBM是英伟达在2026年8月发布的定制化HBM产品，基于HBM4E架构开发，该产品将英伟达定制内存控制器集成至基底裸片内。在此之前，三星对外供应的HBM产品均采用自主一站式生产模式，HBM中的DRAM核心裸片与基底裸片全部由三星自有产线制造，其HBM4基底裸片使用三星自家4nm SF4工艺。
报道显示，三星内部完成评估后接受了英伟达的工艺要求。不过三星并未改变其他HBM产品的生产策略，面向其他客户的标准HBM以及其余定制化HBM产品，基底裸片依旧保留内部自主生产方案。同时三星也在评估备选方案，若后续NVHBM订单需求超出台积电产能上限，将考虑启用自有产线生产该款基底裸片。
英伟达推动三家存储供应商统一基底裸片制造工艺，目的是消除不同厂商工艺差异带来的性能波动，减少多供应商方案下的产品验证工作量，让NVHBM在英伟达AI芯片平台上实现稳定、一致的运行表现。本次事件改变了HBM产业传统生产分工，以往存储原厂包揽HBM整套堆叠芯片制造，而NVHBM方案把基底逻辑裸片剥离出来，交由外部晶圆代工厂完成制造，存储厂商主要负责DRAM存储裸片生产与HBM堆叠封装工序
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