10月18日,据韩国《首尔经济日报》援引业内消息人士报道,三星电子计划采用台积电3纳米工艺,制造英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片......
双方将依托格芯纽约州马耳他工厂,打造美国本土首个硅中介层生产基地,为台积电 CoWoS 先进封装生态提供本土供应保障。...
2026年9月8日,ASML一日连发三则重磅消息,分别宣布与英特尔晶圆代工、三星电子和台积电就高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻技术达成或深化合作......
本次大额资本开支资金用途划分清晰,首要资源倾斜先进制程产能搭建与升级,推进2nm、1.4nm等前沿工艺产线建设......