AI大模型带动算力集群规模快速扩张，数据中心光互连技术加速向1.6T、3.2T迭代，单通道速率朝着200G、400G/lane高速演进。作为光接收链路的核心元器件，高端光电探测芯片长期依赖海外进口，国产化迫在眉睫。2024年成立的新锐快粼光电，依托上海科技大学博士团队，深耕III-V族高速光电探测芯片领域，实现多项关键技术突破。快粼光电完成数千万元天使轮融资后，在CIOE2026展会上正式展出适配3.2T光模块的单波400GMUTC-PD样品，推动国产超高速光芯片实现从实验室研发走向商业化量产。
快粼光电创始人李林泽博士与光纤在线编辑Apple
源自高校科研力量，瞄准光芯片“卡脖子”难题
快粼光电脱胎于上海科技大学陈佰乐教授课题组，核心成员均为同门博士，团队平均年龄不到30岁。公司聚焦高速、高功率III-V族光电探测芯片研发，精准锚定AI算力集群、数据中心互联对于超高速、高带宽、低功耗光电器件的市场刚需，致力于补齐国内高端光接收芯片短板，实现光互连核心器件自主可控。行业发展已经从算力瓶颈转向互联瓶颈。光电探测芯片直接影响光互连系统的传输速率、接收灵敏度以及链路功耗，但国内高端市场长期被海外厂商主导。国内多数研发仅实现单点技术突破，能够打通器件结构设计、III-V族材料外延、封装集成全链条，同时兼顾高性能与量产良率的自研团队十分稀缺，这也成为快粼光电重点攻坚的行业命题。
资本赋能下，技术破局自研MUTC架构，破解单波400G接收端性能痛点
据了解，2026年6月，快粼光电完成数千万元天使轮融资。本轮资金将重点用于超高速光探测芯片的研发迭代，加速单波200G/400GPD芯片的量产落地，同时引进高端产业人才。在资本加持之下，快粼光电的核心目标是拿到量产市场的“入场券”：把实验室环境下的高性能芯片样品，转化为产线上性能稳定、可批量交付给客户的商业化产品。
伴随行业向单波400Gbps/Lane迈进，接收端芯片不再只追求带宽单一指标，还需要在响应度、暗电流、线性度，以及不同入射光功率条件下的稳定性之间达成综合平衡。传统PIN-PD在高光输入场景容易出现性能衰减；UTC结构虽优化高速与高功率特性，但光强波动带来的性能漂移，依旧是工程落地的一大阻碍。
针对行业痛点，快粼光电自研修正型UTC（MUTC）结构，优化器件内部载流子输运机制，让芯片可以在更宽的入射光功率范围内，保持稳定的带宽与频率响应。该方案不局限于实验室的理想测试环境，更保障芯片在真实链路中的线性度与动态范围，为整个系统预留充足的性能裕量。
在CIOE2026展会现场，快粼光电展出的单波400GMUTC-PD样品采用背照式耦合设计，芯片背部集成微透镜，有效提升光耦合效率与封装适配性，可为3.2T光模块提供完整的接收端芯片解决方案。除核心的400GMUTC-PD以外，现场还同步展出波导型PD、高性能封装模组，完整展现公司从芯片设计到模组开发的全栈技术能力。
不过，在创始人李林泽博士看来，快粼光电现阶段也面临着挑战，挑战并非实验室技术攻关，而是技术与量产产线的适配。实验室可以制备出指标优异的样品，但下游客户真正需要的，是大批量生产条件下性能保持一致的产品。这就要求将全套工艺Know-how移植至代工厂产线，做好外延、制程、测试全流程的良率管控，这也是公司现阶段的核心工作。
据光纤在线了解，目前快粼光电已搭建起完整的研发体系，产品覆盖800G、1.6T、3.2T全档位光互连场景，适配LPO、CPO等下一代数据中心网络架构。核心产品已完成技术验证，正推进量产工艺开发与客户送样，预计2027年实现核心产品规模化交付。前沿研发层面，公司联合上海科技大学、香港城市大学、浙江大学的科研成果发表于《NatureCommunications》，240GHz异质集成PD达到国际领先水平，相关业务已产生阶段性收入。
展望未来，深耕国产光芯片，助力算力基建全球竞争
面向未来，快粼光电将全力推进单波200G、400GPD芯片量产落地，赋能国内高速光模块与AI算力基础设施，加速国产高端光互连器件商业化进程。同时，快粼光电将持续深耕InP基PD芯片，推进芯片和薄膜铌酸锂、硅光平台的异质集成以及拓展UTC-PD在太赫兹通信、全光基站、光电测量仪器等前沿领域的应用。依托持续的技术迭代，助力我国AI算力基础设施在全球竞争中抢占优势地位。
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