7月15日，韩国经济日报援引行业消息人士报道，三星电子计划在韩国京畿道器兴园区新建一座DRAM工厂，规划月晶圆产能约10万片。该项目预估投资规模达数十万亿韩元，厂房施工有望最早于2026年第三季度启动。
据报道，新建厂区地块最初规划用于打造研发中心，三星调整用地规划转向建设大规模DRAM产线，行业普遍认为，此举旨在响应AI算力基础设施带动的存储需求增长，提前布局中长期DRAM供给。器兴园区是三星发展历史最久的半导体基地之一，长期承载存储芯片研发与量产任务，地理位置毗邻平泽、龙仁两大核心半导体集群，可与现有产能形成协同配套。
产能布局层面，三星正在搭建多点位协同的韩国本土存储制造体系。平泽园区作为核心阵地，重点倾斜资源用于HBM高端存储生产；龙仁芯片集群加速推进先进产线建设；本次器兴新增DRAM产能、叠加此前公布的光州两座芯片工厂投资计划，进一步完善三星在韩国多地的产能布局，兼顾通用DRAM与AI高端存储产品制造。
放眼全球存储市场，AI服务器持续拉动HBM与高规格标准DRAM需求，头部存储原厂持续优化产能结构，将更多先进制程产能向算力相关存储产品倾斜。伴随智算中心建设持续推进，市场对DRAM bit总量需求稳步上行。此前南亚科技等厂商已预判，全球DRAM供需偏紧格局有望延续至2028年。
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