安湃芯研2021年成立于上海嘉定，是一家专注于设计和制造超高带宽、插入低损耗、高集成度的薄膜铌酸锂光子集成芯片、器件和光学引擎的创新型企业。创始团队均拥有985高校博士学位，在薄膜铌酸锂这一新型高性能光子集成平台的设计、流片制造、产业应用等方面具有丰富的专业知识、成果积累和研发经验。
依托华中科技大学教授、博士生导师夏金松领军的光电子器件与集成功能实验室，安湃芯研在总经理孙昊骋博士的带领下，正在走向产业化生产的大道。
2018年华中科技大学的课题组，在光调制器的技术方面有重大的突破。实现突破以后发现这一技术有很广阔市场前景，就开始筹划产业化发展。
2020年开始有风投机构与安湃芯研接触，双方对技术应用前景进行评估，安湃芯研被估值2亿元人民币左右并敲定了天使轮投资事宜。
2021年随着天使轮投资落地，安湃芯研走上了产业化转化的路，并在上海注册了子公司。
2023年8月安湃芯研宣布成功完成近亿元人民币A轮融资。A轮融资由同创伟业以及同创伟业的合作伙伴武汉市江夏科技投资集团旗下夏创创投联合领投，源创多盈、云起资本等跟投。
安湃芯研已建成具有完全知识产权的全流程芯片生产线，并具有完整的一体化设计、流片、封装和测试能力。公司的主要产品包括各种高速、超高速薄膜铌酸锂强度和相位调制器芯片、阵列芯片、相干调制器芯片、多功能芯片、定制化光子芯片以及完整封装的调制器，可广泛应用于光通信、数据中心、消费电子、安防、汽车电子等多个领域。此外，公司还积极参与国内外的技术交流和合作，与多家知名企业和研究机构建立了良好的合作关系。安湃芯研的产品已经于多家知名单位进行了产品验证并小批量出货。
薄膜铌酸锂是一种新型光电材料，具有优异的电光、声光和光学非线性效应，素有光电子时代“光学硅”的称号。
近年来，薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注，基于该平台的光子芯片也得到了快速的发展。相比于传统的体材料结构，薄膜铌酸锂平台可以实现更高集成度、更好性能、更小尺寸、更低功耗，其应用领域包括数据中心、光通信、激光雷达、量子通信等，尤其在800G、1.6T光模块方面具有广阔的应用空间。
ANPI新品发布|TFLN-110GHz强度调制器
安湃光电高带宽薄膜铌酸锂强度调制器（TFLN-110G-Standard）正式发布，该产品由安湃光电8英寸流片线生产芯片，并经过高精度光耦合与射频封装而来，具有高带宽、低损耗、高消光比、小尺寸等特性。
3dB带宽≥65GHz，6dB带宽≥100GHz
半波电压≤3.5V
插损≤4.5dB
1mm射频接头
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