6月29日，在韩国国家级产业项目发布会上，韩国产业通商资源部长官金正官对外公布新一轮半导体产业布局方案。
按照官方披露的投资方案，韩国计划在西南部光州、全罗道区域新建四座半导体晶圆制造工厂，项目整体投资规模约800万亿韩元。该产业基地定位为韩国第二大半导体制造集群，以此分流首都圈龙仁、平泽厂区的产能压力，缓解电力、供水资源紧张带来的扩容瓶颈。四座工厂由三星电子、SK海力士分头承建，两家存储巨头各落地两座前道晶圆产线，重点扩充DRAM、NAND以及HBM高端存储产能。
研发配套方面，韩国政府规划未来15年在半导体领域投入资金不少于30万亿韩元。资金主要投向下一代存储芯片、边缘AI芯片以及军工半导体研发项目，补齐存储之外的芯片技术短板，完善本土芯片研发体系。
在后端制造环节，韩国将在忠清地区打造规模化先进封装产业集群，规划总投资额达到81万亿韩元。该封装基地主要服务于AI高带宽内存产品，承接HBM多芯片堆叠封装订单，匹配西南部晶圆厂的产能输出，形成前道制造加后道封装的产业联动布局。
本次投资属于韩国“三大超级国家级项目”中的核心板块。政府将简化环评、用地等行政审批流程，压缩项目建设周期，加快新厂区开工落地。同时韩国产业部门提出目标，力争五年之内实现国内DRAM产能翻倍，抓住全球AI算力硬件增长红利。
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