3月13日，据媒体援引未具名业内人士的话报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型，能以比现有模型快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能，并公布了研究成果。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。
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