10月21日，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在公司技术与产品网络研讨会上对外表示，经过超过20年的内部评估，4F²架构目前不在美光的DRAM技术路线图当中。美光将继续扩展6F²架构，同时把3D DRAM作为长期替代方案。Scott DeBoer在会上解释，DRAM位密度主要取决于电容间距，而不只是单元架构；4F²架构存在根本性的扩展限制，同时制造复杂度更高、制造成本更高。
4F²、6F²是平面DRAM存储单元的架构表述，F代表光刻最小特征尺寸，数值越小代表单单元理论面积更小。长期以来，4F²架构被行业视作提升平面DRAM单元密度的潜在技术方向，多家存储企业先后开展相关评估与技术研究。
按照本次研讨会披露的内容，美光平面DRAM的迭代主线将延续6F²架构，在现有架构框架下持续推进工艺微缩与密度提升。在平面DRAM之外，3D DRAM是美光面向远期布局的核心研发方向。3D DRAM依靠垂直堆叠存储单元，突破二维光刻工艺带来的密度瓶颈，也是多家全球存储原厂同步投入研发的下一代DRAM技术路线。
本次技术研讨会同步对外释放了美光在HBM、NAND闪存等存储产品线上的技术规划。Scott DeBoer并未在本场分享中公布6F²架构后续迭代节点、3D DRAM流片、样品交付以及量产的明确时间表，也没有披露两条技术路线对应的研发投入规模。
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