近日，全球特色工艺晶圆代工大厂高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布，在日本经济产业省（METI）高达10亿美元的资助支持下，启动其位于日本的300毫米（12英寸）硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）和先进封装产能的双轨道战略扩张计划。
根据规划，高塔半导体将投资约30亿美元（约合人民币202.95亿元），全面扩大其在日本的12英寸硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）以及先进光学封装产能，以应对人工智能（AI）与数据中心算力爆发带来的高速光互连需求。
本次战略扩张分为两个阶段推进：
第一阶段：大幅增加12英寸硅光子器件产能，预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括对新潟县的新井工厂（原Fab 6）进行改造，使其具备12英寸硅光子器件产能和先进封装能力，从而与位于富山县鱼津市的Fab 7工厂形成协同，最大化释放12英寸产能。
鉴于第一阶段的增长前景，高塔半导体上调了其长期财务目标，计划在2028年实现36亿美元的营收和12亿美元的净利润。
第二阶段：与第一阶段同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座12英寸半导体制造厂，待相关协议签署与交割完成后即可正式动工。该工厂投产后，预计将使高塔半导体的硅光子和硅锗的产能实现成倍增长，满足客户对新兴人工智能和数据中心应用日益增长的需求，并推动下一代光连接技术的发展。
高塔半导体表示，通过在日本本土建立先进的硅光子与硅锗制造能力，不仅能增强日本的半导体生态系统和供应链韧性，也将为公司及当地产业创造长期价值。
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