7月7日，《日经新闻》披露三菱化学与日本制钢所（JSW）氮化镓衬底产能扩张与产品迭代规划。
两家企业长期联合研发功率半导体自支撑氮化镓衬底，三菱化学负责籽晶、材料工艺研发，JSW依托室兰工厂高温高压晶体生长产线完成衬底制造。
根据最新规划，双方将持续扩充功率型GaN衬底产能，目标2027年整体产能较2026年提升50%。此前二者已于2026年4月完成一轮扩产，衬底与籽晶产能提升至2021年两倍，本轮扩产落地后产能将达到2021年三倍规模。
产能扩张的核心动因来自电动汽车车载逆变器、快充设备、数据中心电源等下游需求增长。现阶段双方主力4英寸氮化镓衬底尚未实现商业化供货，仍处于下游客户工艺验证周期。为匹配行业晶圆大尺寸化发展趋势，企业制定清晰尺寸迭代时间表，计划2026财年对外推出6英寸GaN衬底样品，2028财年完成8英寸衬底样品交付，持续推进大尺寸晶体生长工艺优化。
公开资料显示，自支撑GaN衬底相较硅基氮化镓拥有更优耐压、载流能力，是高端车规、高压功率器件核心材料。本次扩产将同步升级JSW室兰厂区长晶设备、三菱茨木加工产线，提前储备产能以应对验证完成后的批量订单需求。
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