江宁在演讲中指出，磷化铟（InP）是Ⅲ-V族化合物半导体，具备直接带隙与高电子迁移率特性，完美契合光纤通信的低损耗窗口，是目前唯一能在光通信黄金波段1310-1550nm同时实现高性能的半导体材料。...
