2026年，全球存储器行业在AI等需求驱动下进入了高增长周期。随着DRAM与NAND Flash市场供需关系持续紧张，行业主要厂商的业绩大幅提升。美光、三星和SK海力士等大厂披露的财报数据均创下历史新高，显示出行业盈利能力的强劲回升。
美光披露最新财报，远超市场预期
3月18日，美光科技公布2026财年第二财季（2025年12月至2026年2月）业绩。
该季美光科技营收238.6亿美元，同比增长196%，环比增长75%，远超市场预期的200.7亿美元；净利润137.9亿美元，同比增长772%；毛利率为74.4%（GAAP）和74.9%（非GAAP），较去年同期大幅增长，创历史新高。
其中，DRAM业务营收188亿美元，同比增长207%，占总营收79%，价格环比上涨65%-67%，出货量环比增长中个位数。NAND业务营收50亿美元，同比增长169%，价格环比上涨75%-79%，出货量环比增长低个位数。
展望下一财季，美光科技预计公司营收为335亿美元（上下浮动7.5亿美元），毛利率约81%，每股收益19.15美元（上下浮动0.40美元）。
同时，美光透露，2026财年资本支出将超过250亿美元，2027财年将进一步增加，主要用于HBM和DRAM产能扩张。
稍早之前，三星、SK海力士披露的财报数据同样亮眼。其中，三星存储业务2025年第四季度营收达37.1万亿韩元，同比增长62%，占半导体部门总营收的近40%。营业利润达16.4万亿韩元，同比暴增465%，创下单季历史新高。SK海力士2025年第四季度营收32.83万亿韩元，环比增长34%；营业利润19.17万亿韩元，环比增长68%，营业利润率58%，三项指标均刷新历史纪录。
存储大厂谈市况，供不应求态势将持续
美光科技在2026年3月发布的最新财报及电话会议中，对存储市况进行了阐述。
美光认为，当前DRAM和NAND市场供应极度紧张，部分关键客户的需求仅能满足二分之一到三分之二。预计2026年及以后，供需紧张态势将持续，行业DRAM和NAND位元出货量增长将受限于洁净室空间、节点迁移等因素。当前美光正在积极扩产，但该公司同时指出，新产能建设周期长达数年，预计2027-2028年才能逐步释放，短期内供应短缺问题难以缓解。
三星方面认为，2026年人工智能市场投资以及存储芯片供给紧张的局面将持续。三星计划顺应这一有利市场环境，进一步巩固其在半导体领域的主导地位。
三星电子副会长兼CEO全永贤在3月18日召开的第57届定期股东大会上表示：“今年预计将延续AI需求增长以及存储供给紧张等有利经营环境。公司将通过强化技术竞争力以及多元业务结构优势，有效应对市场不确定性，实现稳健业绩。”
另据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询3月初调查显示，展望2026年第一季，DRAM市场，在CSPs力求确保供应量，且对采购价格仍持开放态度下，其他应用需跟进价格涨幅方可确保自原厂的供应，预计推动多数产品的合约价涨幅再次大幅加速，预估最终Conventional DRAM合约价将上涨90-95%，而Conventional DRAM及HBM合并的整体合约价亦将上涨80-85%。NAND Flash方面，由于NAND Flash供需严重失衡，原厂继续拉抬价格的意愿强烈，TrendForce集邦咨询预计第一季整体NAND Flash价格将季增85-90%。
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