9月28日，先导科技集团旗下先导芯光电子科技（武汉）有限公司（简称“先导芯光”）的晶圆厂正式通线。该厂是集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心。产线贯通后，基地从建设阶段进入工艺认证与产品导入阶段。
先导芯光布局了磷化铟4/6英寸和砷化镓6/8英寸两类大尺寸光电芯片平台。磷化铟线瞄准光通信核心链路，覆盖激光器、调制器、探测器等光器件，并承载高速电芯片制程，使光芯片和电芯片能够在同线制造；砷化镓线则面向VCSEL等器件和射频工艺，兼顾光通信与射频产品。
产能尚未释放，合作已提前启动。9月，先导科技集团联合旗下安徽先导极星科技有限公司、武汉光谷量子技术有限公司，获得海外头部客户面向下一代单模400G光互连的联合研制预研订单，12项联合项目的最终量产将落在先导芯光。武汉光谷量子的磷化铟光芯片已在100G与200G速率形成供货，量产依托先导芯光晶圆厂。同月，先导科技集团与广州慧智微电子股份有限公司签署战略合作协议，围绕单模400G及更高速率电芯片、卫星通信射频前端芯片开展联合研制。
先导芯光项目负责人詹英祺表示，进入单通道400G阶段，光电两类芯片正汇聚到同一材料体系；公司希望让客户在这里获得一个经得起验证、便于扩产、能够长期供货的平台。先导科技集团联席总裁侯振富说，先导芯光通线是集团“从材料到芯片”战略在武汉落地的关键节点，集团在稀散金属与化合物半导体衬底上的长期积累由此延伸到晶圆制造和芯片层面。集团将继续投入，把武汉基地建成面向光通信与射频通信的化合物半导体制造高地。
通线之后，工程批和研发批会立即推进；200G光芯片代工率先导入，400G平台上的项目则同步展开流片与验证。平台向产业链开放的方式包括晶圆代工与联合研制两类。
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