综合韩媒报道，三星电子近期传出加快韩国平泽第五园区（P5）半导体产能布局。韩媒引述业界人士指出，三星正与主要设备供应商讨论，将P5 Ph1设备进场时间由原定的2027年7—8月提前至5—6月；此外，P5 Ph2也传出正讨论建设NAND产线，并可能导入第十代（V10）NAND技术。
P5是三星规划的新一代半导体生产基地。其中，Ph1预计以DRAM与HBM为主要布局方向，今年第三季度已开始进行洁净室建设。韩媒指出，三星此前已提前相关工程时程，如今设备导入时间也可能进一步提前。
据韩媒引述业界人士说法，三星近期向设备供应商提出，希望P5 Ph1设备自明年5—6月开始搬入及安装，较原先规划的7—8月提前。另有设备业人士透露，三星甚至希望部分设备最快能在明年第一季度先行交付，再暂时存放于其他地点。
P5 Ph2投资规划也开始受到关注。目前相关设备尚未正式下达采购订单（PO），不过韩媒引述设备业人士指出，三星正与合作伙伴讨论将Ph2建设为NAND产线的规划。由于部分半导体设备交付周期较长，三星也传出要求供应链提前准备相关零部件。
值得注意的是，三星今年7月第二季度财报电话会议曾表示，依当时接获的需求，今年未能满足的部分需求可能递延至明年，增加后续供应压力；公司并预期，明年供应短缺情况可能较今年进一步加剧，相关供需紧张情况可能延续至2028年。
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