近日，存储芯片研发商宁波领开半导体技术有限公司宣布完成A+轮融资，本轮投资方为三花弘道投资、德同资本、辰韬资本，本轮融资金额未对外披露。德同资本继A轮之后继续加注领开半导体。
领开半导体成立于 2020 年，企业定位为存储芯片研发企业，依托自研 ATopFlash 技术以及 HBF + 新一代存储架构，专注面向 AI 推理场景的高性能存储芯片研发。其产品方案可兼容现有产业生态，支持快速量产商用。
HBF全称高带宽闪存（High Bandwidth Flash），定位在HBM与SSD之间的新型存储层级，采用3D NAND垂直堆叠的封装方式，面向AI推理读多写少的业务场景。
行业标准版本由 SK 海力士、闪迪在 OCP 开放计算项目框架下主导制定，2026 年 2 月成立专项工作组，同年 8 月发布首版完整规范，谷歌、Tenstorrent 加入该联盟参与标准验证，单堆栈最高支持 512GB 容量，读带宽目标 1.6TB/s，支持 UCIe 互联接口。
领开的 HBF + 属于国内自研同类架构，基于其 ATopFlash 闪存技术开发，读操作参数对齐 HBM4，接口兼容 HBM 生态，采用成熟工艺制造，面向云端、边缘、端侧 AI 推理芯片。该方案与海外 SK 海力士、闪迪的 HBF 标准属于同一赛道，但底层闪存架构为自主设计。
近期企业对外披露的业务动态显示，领开半导体已与思敏威集成电路达成战略合作，双方联合开发基于HBF+的存算融合推理方案，共同推进AF分离推理分层存储架构的产品落地。该方案面向大模型推理，尝试缓解当前AI算力基础设施面临的HBM产能紧张、成本偏高的行业现状。公司当前正在推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作。
行业层面，当前AI大模型推理业务持续扩张，长上下文场景下KV Cache带来大容量存储需求。传统HBM方案多用于模型训练，在推理场景存在成本、功耗约束。HBF高带宽闪存将3D NAND采用垂直堆叠封装，主打大容量、低功耗，海外已有谷歌、Tenstorrent等企业参与HBF相关技术验证。
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