在CIOE2026期间，光纤在线编辑有幸采访了星钥半导体（武汉）有限公司（以下简称“星钥半导体”）光通信事业部负责人钱银博博士和市场负责人陈叠峰，围绕MicroLED光互连技术同源优势、技术架构、落地挑战、商业化规划，同时结合AR微显示底座能力，解读星钥半导体双赛道技术布局与产业发展思考。
左：市场负责人陈叠峰，中：光通信事业部负责人钱银博博士，右：光纤在线编辑Apple
光纤在线：本次是星钥半导体首次亮相光博会，能否介绍一下本次参展的核心亮点？
陈叠峰：本次CIOE2026，既是我们在AR微显示领域的公开展示，也是我们面向光通信行业的首次正式亮相，意义十分关键。展会现场我们没有只展示终端成品Demo，而是完整展出从大尺寸硅基GaN外延、ChiponWafer晶圆加工、高精度HybridBonding混合键合，一直到垂直堆叠单片全彩的全流程工艺晶圆实物。展品既包含多波长定制MicroLED微显示屏、红绿双色堆叠样品、R/G/B+CMOS垂直堆叠晶圆等AR微显示成果；同时重点展出MicroLED光互连外延片与CoW（ChiponWafer）芯片原型样品，向光通信行业直观展示同源技术带来的硬件能力。
当前不管是ARMicroLED微显示，还是AI算力驱动的高速光互连，行业共同面临制造成本高企、规模化交付能力不足的现实痛点。很多企业停留在样机Demo阶段，核心制造环节依赖外部代工，难以做到核心工艺自主可控。
目前我们已经全线打通基于成熟半导体工艺的8英寸IDM量产产线并实现出货，是国内少数实现8英寸MicroLED外延、芯片、键合核心工艺环节自主可控，核心制造不依赖外部代工的企业。依托同一套IDM底座，我们同时支撑AR微显示与MicroLED光互连两大业务的工艺迭代，希望借本次光博会，让光通信与AR产业链，看到同源IDM模式带来的技术优势与量产潜力，推动国产MicroLED技术从样品Demo走向规模化商用。
光纤在线：业内都知道MicroLED量产难度极高，星钥半导体能够实现规模化量产，核心技术支撑是什么？
陈叠峰：高性能可量产的MicroLED器件，不管用于AR显示还是高速光互连，底层对材料、异质集成的技术要求高度趋同，完整成熟的底层技术平台，是我们能够跨赛道拓展的核心根基。我们搭建的四大核心技术平台，同时服务两大业务，构成IDM制造底座：
第一，大尺寸硅基GaN技术平台。选用和CMOS驱动芯片同源的硅衬底，热匹配性好，混合键合良率更高；同时适配标准8英寸半导体产线，能够发挥大晶圆的规模效应，从源头摊薄芯片制造成本，无论微显示还是光互连芯片，都能受益于此。
第二，高效率红光技术平台。布局三元硅衬底红光、四元GaAs衬底红光两条互补路线。三元红光抗像素微缩能力强；四元红光色纯度高，适配X-cube架构，主要服务AR微显示；而光互连场景，我们会优先选取高速响应的蓝绿光发光体系，依托硅基GaN平台完成器件结构优化。
第三，高精度HybridBonding混合键合技术平台。这是双赛道共用的关键工艺。可以解决异质集成CTE热失配、超高互连密度、器件热预算受限等共性难题，支持室温预键合、超高密度互连、极低寄生参数。对于AR，用来做发光层与CMOS堆叠；对于光互连，用来实现发光阵列、接收阵列与EIC驱动芯片的高密度异质集成，是CPO方向不可或缺的工艺基础。
第四，异质堆叠集成技术平台。借鉴CIS图像传感器经过大规模验证的垂直堆叠工程范式，实现R/G/B+CMOS垂直堆叠单片全彩，面向AR；迁移到光互连，则可以实现发光阵列、接收阵列与驱动电路多层堆叠，在有限芯片面积内提升通道密度。
正是四大平台复用，让我们不用为光互连重新搭建整套产线，这也是IDM模式跨赛道的核心价值。
光纤在线：本次展会展出了多款差异化MicroLED产品，其中，在光互连领域，和行业主流方案相比，公司产品的核心竞争优势体现在哪里？
钱银博博士：传统光通信激光器、VCSEL方案，大多追求单通道高速，依靠提升单路速率来提升总带宽。而我们MicroLED光互连采用业内所说“WideandSlow”并行阵列架构，逻辑完全不同：不追求单通道极限速率，而是利用二维高密度发光阵列，通过大量低速通道并行，实现芯片级聚合大带宽。它的核心优势集中三点：
第一，聚合带宽上限高，单颗芯片可以实现Tb/s级聚合带宽，适配AI集群内部海量数据交互的需求；
第二，功耗潜力优异，在短距互联场景，有望实现1~5pJ/bit的能效水平，缓解AI算力中心日益严峻的功耗压力；
第三，工艺底座复用，依托8英寸硅基GaN+混合键合整套成熟IDM产线，不需要全新建设产线，有利于后续成本控制与规模扩产。
当然也要客观看待，MicroLED光互连目前还处在器件验证迭代阶段，对比成熟商用激光器，还需要持续优化调制带宽、器件可靠性、阵列均一性。而我们做AR微显示积累的外延设计、晶圆工艺、混合键合工程经验，可以直接迁移过来，加速光互连器件的迭代进程，这是很多光通信器件厂商不具备的条件。
光纤在线：除了AR微显示核心赛道，公司同步布局了MicroLED光互连领域，能否介绍该布局的核心逻辑与应用前景？
钱银博博士：核心逻辑就是技术同源，产线复用，抓住AI算力带来的短距互联新需求。AI大模型爆发之后，算力集群内部服务器、板卡之间的数据流量爆炸式增长，传统电互连瓶颈凸显，CPO共封装光学、板上光互连成为行业明确演进方向。传统光器件路线面临通道密度、功耗的挑战，而基于二维阵列的MicroLED光互连，正好适配AI数据中心短距高速互联的应用场景。
MicroLED用于AR微显示和用于光互连，核心都是硅基GaN外延、晶圆加工、混合键合。我们已经建好8英寸IDM产线，四大技术平台全部就绪，相当于硬件底座已经存在，更多是器件结构、设计规则的调整，不用从零建设产线，具备天然的拓展基础。
在落地节奏上，我们现阶段主要完成器件原理验证、阵列样片开发。本次光博会展出的就是光互连外延片与CoW芯片原型，目前已经完成基础性能摸底，在1000A/cm²电流密度条件下器件带宽达到1.5GHz，初步达到商用器件的指标门槛。
中长期来看，我们将分阶段推进：持续优化阵列均一性、调制带宽、长期可靠性；和光通信设备、CPO模块厂商开展联合验证迭代。未来面向AI数据中心短距互联、CPO共封装光学两大场景输出产品。
光纤在线：站在产业视角，您如何看待Micro‑LED光互连当前面临的挑战，星钥半导体后续有怎样的产业合作计划？
钱银博博士：客观来讲，LEDoS相关技术远比大众认知复杂。行业最大的痛点从来不是点亮一个Demo样机，而是外延、异质键合、阵列工艺整套工程化、规模化落地能力。放到MicroLED光互连赛道，现实挑战依然不少：二维发光阵列的器件一致性、调制带宽进一步提升、阵列与EIC高密度集成、长期工作可靠性、配套测试方案，都需要产业链共同打磨。不少机构可以做出实验室样片，但缺少8英寸大晶圆完整制造能力，很难推进到批量验证阶段。
星钥半导体的定位是提供芯片级器件底座，开放MicroLED光互连原型器件，积极和光通信设备商、CPO方案厂商、科研机构开展联合研发与样品合作，补齐器件/模块/系统的产业链条。依托正在规划建设的8/12英寸MicroLED量产制造工厂，我们将持续夯实IDM全链路能力，一方面持续迭代AR微显示多波长、双色、全彩产品；另一方面打磨MicroLED光互连器件性能与良率，联动光通信、AR上下游伙伴，共建国产MicroLED产业生态，推动同源技术在消费AR与AI算力两大领域的商业化落地。
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