9月8日，阿斯麦（ASML）联合台积电、三星电子、英特尔Foundry对外发布多份公告，围绕12英寸光刻光罩联合开发、High‑NA EUV极紫外光刻产业化进展同步披露信息。
ASML与台积电于9月7日发起行业倡议，推动半导体行业沿用数十年的6英寸光刻光罩标准向12英寸大尺寸光罩过渡，组建大尺寸光罩联盟（Large Size Mask Consortium）。该联盟公开规划目标，2031年前建成12英寸光罩试点产线，2033年完成适配High‑NA EUV先进制程的技术就绪认证。公告载明，12英寸光罩方案可以消除High‑NA EUV工艺场景下的光罩拼接限制，提升晶圆工厂生产效率，降低先进芯片制造成本。
三星电子宣布加入该12英寸光罩行业合作计划，将与联盟内行业伙伴共同完成12英寸光罩技术、配套基础设施的开发验证。三星同步披露产业化规划，计划2028年前将ASML High‑NA EUV设备投入DRAM芯片大规模生产。公开技术参数显示，当前商用EUV设备数值孔径为0.33NA，High‑NA EUV设备数值孔径提升至0.55NA，具备更高光刻分辨率。官方资料写明，该设备可延续DRAM芯片制程微缩路径，简化先进存储制程多重曝光工序。本次合作同时覆盖三星存储业务、晶圆代工业务板块。
台积电公开披露，计划2030年将High‑NA EUV技术导入逻辑芯片大规模量产产线。
英特尔Foundry同步披露High‑NA EUV项目进展，截至公告发布，英特尔工厂已完成超过100万片经过High‑NA EUV相关工艺处理的晶圆；High‑NA EUV已经用于部分处理器产品特定工艺层的大规模生产验证。英特尔表示，其团队推动大尺寸光罩相关研发工作已超过三年，合作对象覆盖ASML、光罩基板厂商、自动化设备供应商、EDA企业以及材料供应商。
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