近日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。
该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。
据官方介绍，该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构，将垂直扩展能力和空间推向新的高度。这一"4+1"堆叠架构的成功突破，将三维集成原生计算架构的工程落地推进到4层堆叠的全新高度，标志着我国在三维存算一体芯片领域取得了重大成果。
此外，通过采用全新的三维集成原生计算架构，该芯片实现了全方位的性能跃升：数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗和延时降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次数据处理成本下降一个数量级。这一系列指标的系统性突破，为以云游戏为代表的大规模并行计算与高并发数据流处理场景，提供了全新的硬件加速范式。
资料显示，谦合益邦成立于2024年1月，是由网易孵化的国内最早专注于3D存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片公司。公司核心团队早在2018年便率先启动全球第一款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发及量产。如今，从架构定义、前后端设计到先进3D封装、晶圆制造，公司联合国内产业链伙伴打通全流程闭环，实现了核心技术自主可控。
值得一提的是，该公司于近期完成了超20亿元的B轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，在业务层面与公司形成深度协同，为芯片规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。
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