8月19日，长电科技宣布，公司在高深宽比先进TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。
资料显示，长电科技的TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在进一步增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。
此次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等关键工艺展开，制备的TSV孔径为1.5微米、深度为17微米，深宽比达到11.3:1。相较于较大孔径的TSV结构，1.5微米级小孔径对深硅刻蚀精度、孔壁介质层与金属层覆盖以及无缺陷铜填充提出了更高要求。此次试制结果表明，公司具备了业界领先的小孔径、高深宽比TSV的工艺研发与协同验证能力。
在人工智能、高性能计算、高带宽存储等应用快速发展的背景下，GPU、ASIC、HBM及其他功能芯粒之间需要更高密度、更低损耗、更高可靠性的互连方式。TSV能够在硅片或芯片内部形成垂直导电通道，是实现2.5D/3D集成、垂直互连和Chiplet异构集成的重要底层技术之一。高深宽比TSV的研发涉及多道晶圆级关键工艺，各环节之间具有较强的耦合关系。
长电科技表示，对于封测企业而言，打造面向来料晶圆的TSV制备能力，有助于强化从晶圆级工艺、硅基互连到系统集成之间的工艺衔接，为不同制程节点、不同功能芯粒和不同系统架构提供更加灵活的技术选择。
从应用方向看，高深宽比TSV研发能力可重点支撑两类高端先进封装场景。一类是3D堆叠集成，通过在下层晶圆或芯片中制备TSV，实现芯片之间垂直方向的电气连接。另一类是面向硅中介层等硅基互连结构，通过与再布线、微凸点、晶圆级封装等工艺协同，为2.5D集成、多芯粒互连及高带宽存储集成提供关键工艺支持。
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