据新思科技官方资讯、财联社8月12日行业快讯，半导体IP与EDA龙头企业新思科技已经落地全球首次HBM4接口IP测试芯片实物验证工作，打通下一代高带宽内存接口从IP设计到实片调试的关键一环。
根据芯片实测得出的信号眼图数据，整套接口系统能够在9.2Gbps传输速率之下维持稳定运行，该数值也是本次测试平台搭载的HBM‑DRAM硬件能够承载的峰值速率。整套验证工作并不只针对PHY物理层接口，测试芯片已经完成和商用HBM存储颗粒的硬件连通调试，完整核验接口整体架构、高速信号传输方案、DRAM硬件适配兼容性等全链路指标，完成端‑to‑端系统层面调试确认。
本次投片验证采用先进3纳米工艺制备测试芯片，整套HBM4 IP方案涵盖控制器IP、PHY物理层IP、仿真验证IP全套组件；硬件架构理论最高可支持单引脚12Gbps的数据传输上限，接口总带宽突破3TB/s，适配多晶粒异构封装架构，面向AI加速芯片、高性能计算SoC进行优化设计。 现阶段已有多家芯片设计客户启动该款HBM4 IP方案的导入评估，提前布局新一代算力芯片的内存接口研发。
放眼产业链，当下主流AI芯片普遍搭载HBM3、HBM3‑E存储，受限于内存传输带宽，算力芯片长期遭遇“内存墙”约束。HBM4将接口通道位宽升级至2048bit，带宽相较前代实现大幅度跃升，是超大参数大模型训练、高密度推理服务器的刚需配件。三星、SK海力士、美光三家存储厂商均已经开启HBM4存储芯片研发和试产规划，上下游IP、存储、封装厂商同步推进技术验证，加速搭建完整产业链生态。
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