当下AI算力、超高速数据中心、CPO等新一代光互联技术快速迭代，高速光电探测芯片成为产业链国产化关键环节。近日，光纤在线会员平台“和光荟”迎来前沿硬科技企业——上海快粼光电科技有限公司（简称“快粼光电”）。公司聚焦III-V族高速光电探测芯片以及太赫兹信号源研发与量产，突破高端光芯片速率瓶颈，为算力网络、下一代光通信提供核心接收芯片支撑。
快粼光电是专注III-V族高速、高功率光电探测芯片研发及产业化的硬科技企业，核心目标攻克高速光芯片技术壁垒，为AI算力高速互联、数据中心短距光互连、长距离DCI算网传输提供高带宽核心光芯片。企业搭建起覆盖芯片结构设计、III-V族材料外延、工艺制备、超高速性能测试表征、封装集成的全链条自主开发体系，核心布局InP光电探测器（PD）及阵列产品。产品适配800G、1.6T、3.2T超高速光互连场景，同时兼容LPO/LRO、NPO、CPO等新一代数据中心架构，精准匹配算力集群、数据中心互联对超高速、高带宽、低功耗光电器件的刚需，助力国内高速光互连产业实现自主可控。
公司核心团队深耕III-V半导体材料、光子集成工艺、超高频射频封装领域多年，具备从芯片流片、工艺开发到封装模组批量交付的完整落地能力。企业与上海科技大学建立产学研深度合作，持续夯实底层光子技术研发实力，加速先进光芯片平台规模化建设，推动前沿科研成果工程化、商业化落地。
依托完整研发体系，快粼光电掌握三大核心独家技术，构筑行业差异化竞争优势：
其一为UTC和波导耦合结构设计。快粼光电结合UTC结构以及稀释波导耦合结构的高带宽、高效率、高光功率的优势，设计出超过200GHz的超宽带宽与0.81A/W的外部响应度的超高速光探测器，为下一代单通道400Gbps以上速率光互连提供核心器件方案。
其二为多材料异质集成技术。快粼光电布局III-V芯片与薄膜铌酸锂（TFLN）、硅光（SiPh）、氮化硅（SiN）等跨材料平台融合集成，现已完成III-VonTFLN芯片开发，输出带宽突破100GHz，同步推进III-VonSi批量制造工艺研发，为下一代高密度、低功耗片上光互连、片上调制系统奠定技术基础。
其三为太赫兹信号源封装技术。快粼光电结合稀释波导结构与改进封装工艺，开发了UTC-PD太赫兹光子信号源模组。太赫兹信号源模组在90–330GHz多频段实现稳定输出，并提供标准光纤输入和射频波导输出接口，具备即插即用能力。与国外NTT产品相比，在输出频率范围和功率指标上更胜一筹，并且具备更低成本和国产化优势。
研发中试线公司技术与产品应用场景覆盖多元前沿赛道，除数通高速光模块外，还延伸至长距离骨干传输、6G光载太赫兹通信、精密光学量测、量子精密传感、光计算等领域。现有主力产品包含KL-WG-S-L超高速光电探测器、KL-M系列太赫兹光子信号源，可面向AI算力网络、新一代无线通信、6G太赫兹提供全套III-V族高速光探测芯片解决方案。目前公司产品已经向头部模块厂商以及高校科研机构送样验证。
此次入驻和光荟，快粼光电将依托平台汇聚的光通信、硅光集成、高速光模块、光电封装上下游资源，开展技术交流、供需对接与产业协同，持续迭代超高速光电探测芯片、完善异质集成工艺，助力国内AI算力光互联、CPO前沿技术产业创新与国产化升级。
公司主要产品
主要产品1：KL-M系列太赫兹光子信号源模组
主要产品2：KL-WG-S-L超高速光电探测器
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