高价值模拟半导体解决方案领先代工厂TowerSemiconductor（纳斯达克/TASE：TSEM）于2026年7月14日宣布，在日本政府支持下，启动一项双轨并行的战略扩产计划，重点扩大其300mm硅光子、硅锗及先进封装产能。该扩产旨在支持快速增长的长线客户需求，大幅增加公司制造产能并延伸其技术领先地位。
Tower首席执行官RussellEllwanger表示：“我们很荣幸并感激日本政府选择Tower来引领这些具有战略重要性技术的扩产。我们正在共同打造一个以技术领先、制造卓越和卓越产品质量为基础的全球差异化卓越中心。”
他表示，自成为原松下半导体制造业务（现为TPSCo）的多数股东以来，该团队已建立起将尖端创新转化为大规模制造卓越的声誉。基于这些原因，在日本政府的支持下，Tower将打造一个具有全球差异化、规模可观的硅光子、硅锗及先进光学封装先进研发与制造卓越中心。
Ellwanger指出：“通过将Tower的专业技术领导力与日本无与伦比的制造专长、世界级研究机构及高度敬业的人才队伍相结合，我们正在构建一个战略平台，将在未来数十年推动创新、经济增长和半导体领导地位。”
第一轨：荒井工厂转为硅光子产线，2027年Q4量产
第一轨扩产计划新增可观的300mm硅光子产能，预计于2027年第四季度实现全面量产准备就绪。该计划将原有的荒井工厂（原Fab6）改造为300mm硅光子产线及先进封装能力，同时最大化公司在鱼津Fab7的300mm产能输出。基于第一轨的增长前景，Tower正在更新其商业模式，目标在2028年实现36亿美元营收和12亿美元净利润。
第二轨：鱼津工厂旁新建厂房，2029年起显著增厚业绩
第二轨与第一轨同步启动，计划在签署并完成相关协议后，于鱼津Fab7旁边新建一座300mm制造厂房。该设施预计将提供数倍的硅光子与硅锗产能，使Tower能够支持客户针对新兴AI和数据中心应用不断加速的需求，驱动下一代光连接需求。
得益于扩大的客户合作以及通过多代战略伙伴关系实现的重大技术里程碑，新工厂预计自2029年起将显著增厚公司业绩，展现Tower在光学领域的强大领导力，提升员工长期自豪感与客户满意度，其商业模式确保长期可持续发展。
投资规模：总投资约40亿美元，获日本政府10亿美元补助
双轨扩产的总投资预计约为40亿美元，扣除日本政府提供的10亿美元补助后，Tower自有投资约30亿美元。该项投资通过在硅光子和硅锗领域建立先进的国内制造能力，为Tower和日本双方创造长期价值，同时增强日本半导体生态系统和供应链的韧性。
Ellwanger进一步表示：“基于我们与富山县和新潟县的长期合作关系，以及我们对鱼津和荒井工厂的重大投资，我们期待深化合作，加强区域半导体基础设施，扩大本地供应链能力，加速创新，培养下一代高技能工程和制造人才——这是一支以敬业精神、主人翁意识、奉献和忠诚而闻名的员工队伍。”
Tower致力于维持和创造高质量就业，招募、培养和留住世界级工程和制造人才，扩大与本地供应商和企业的合作，深化与日本高校和研究机构的伙伴关系。通过强化这些产业与学术生态系统，Tower力求推动创新、增强区域竞争力，为两县的可持续增长和长期经济发展做出贡献。
Ellwanger总结道：“第一轨扩产显著提升了我们更新的2028年商业模式。第二轨通过快速高效地向现有盈利运营增加产能，消除了新建工厂认证或工厂间产品转移所需多个学习周期的时间影响，确保客户按时爬坡和现金流。我们预计第二轨将为2028年之后的持续增长提供路径。”
【关于TowerSemiconductor】
TowerSemiconductorLtd.（纳斯达克/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂，为消费电子、工业、汽车、移动设备、基础设施、医疗及航空航天与国防等成长市场客户提供技术、开发和工艺平台。TowerSemiconductor专注于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术（包括SiPho、SiGe、BiCMOS、混合信号/CMOS、RFCMOS、CMOS图像传感器、非成像传感器、显示器、集成电源管理（BCD和700V）及MEMS等广泛的可定制工艺平台）为世界创造积极和可持续的影响。TowerSemiconductor还提供世界级设计支持以实现快速准确的设计周期，以及面向IDM和无晶圆厂公司的工艺转移服务（包括开发、转移和优化）。为提供多晶圆厂采购和扩展产能，TowerSemiconductor目前在以色列运营一座200mm工厂，在美国运营两座200mm工厂，在日本通过其持有TPSCo51%股权运营两座工厂（200mm和300mm），并与意法半导体在意大利Agrate共享一座300mm工厂。
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