欢迎访问企业推荐网
电子半导体行业推荐公司 电子半导体行业动态 电子半导体材料

高通推出HBC近内存计算架构,配套两代AI加速器公布迭代时间表

2026-06-27 1113

当地时间6月25日,高通在2026投资者日活动上,正式发布面向AI数据中心的高带宽计算架构HBC(High-Bandwidth Compute),旨在破解AI推理业务中的存储墙瓶颈,提升内存容量与数据传输带宽。

HBC采用近内存计算技术路线,依托硅通孔TSV工艺完成3D堆叠设计,将专用近内存加速器放置在LPDDR存储堆栈下层,把计算单元与存储单元紧密集成在一起。这套架构不再单纯依靠HBM提升带宽,转而通过3D封装缩短数据传输路径,优化算力与内存协同效率。

按照官方公布的产品路线,HBC架构分两代迭代落地。第一代HBC Gen1将搭载在AI250加速器之上,项目计划在2027年年中启动商业化样品测试。第二代HBC Gen2将与AI300加速器配套开发,预计2028年正式推出。

官方数据显示,搭载初代HBC架构的AI250,内存有效带宽相比前代产品实现大幅跃升。HBC整体方案的单位功耗带宽达到传统HBM方案的6倍,单位功耗存储容量达到SRAM的200倍,更适配大规模云端大模型推理场景。

本次技术发布属于高通飞龙数据中心产品体系的重要一环。整套平台面向生成式AI、智能体算力需求打造,把CPU、AI加速器、近内存计算架构进行统一整合,持续降低AI推理业务的单位算力成本。

TAG:高通

投稿与新闻线索:邮箱:tuijiancn88#163.com(请将#改成@)

特别声明:企业推荐网转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

虚位以待
热门文章
联系我们

邮箱:tuijiancn88#163.com(请将#改成@)