2026年，全球半导体产业加速向3nm以下逻辑制程、300层以上3DNAND闪存及HBM高带宽存储迭代，干法刻蚀环节对高选择比、高深宽比刻蚀气体的需求持续攀升。电子级六氟丁二烯（C₄F₆）作为先进制程...
