2 月 23 日，北京大学电子学院邱晨光研究员、彭练矛院士团队宣布重大科研突破，成功将铁电晶体管的物理栅长缩减至1 纳米物理极限，研制出迄今全球尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为后摩尔时代芯片微缩与 AI 芯片能效提升提供关键器件支撑，相关成果已在线发表于国际顶级期刊《科学・进展》。
该团队通过创新纳米栅极结构设计，利用电场汇聚增强效应，在原子尺度实现对铁电材料的高效调控，使器件可在0.6V 超低电压下工作，能耗低至0.45 fJ/μm，较国际现有最优水平大幅降低一个数量级，同时突破传统铁电器件高电压、高功耗的技术瓶颈。
作为芯片核心基础器件，这款 1 纳米铁电晶体管兼具非易失性存储与超低功耗优势，可直接兼容现有 CMOS 工艺，未来有望广泛应用于高密度存储、低功耗计算与高算力 AI 芯片，推动我国在先进半导体器件领域实现自主创新与技术领跑。
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