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海川智能1.3亿元收购南京集溢半导体15.3%股权 布局磷化铟InP赛道

2026-08-03 460
近日,国内自动衡器龙头企业海川智能正式发布对外投资公告,拟斥资1.3亿元现金收购南京集溢半导体科技有限公司15.3%股权,以此为战略支点切入磷化铟这一AI算力上游核心刚需材料赛道,完成从传统精密计量设备制造商向半导体新材料领域的关键转型。

本次交易的核心资产为南京集溢全资子公司大庆溢泰,大庆溢泰主营业务产品包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锗(Ge)、锑化镓(GaSb)及原材料金属镓,不仅在砷化镓光电衬底市场份额稳居国内第一、全球第四,更是国内少数打通磷化铟全流程自主生产的企业。依托自有8万余平方米生产基地,大庆溢泰自主研发核心长晶设备,打通“多晶合成—单晶生长—晶片切磨抛洗”完整闭环产业链,在晶体位错控制、化学计量比精准调控等核心工艺上达到行业第一梯队水平,目前磷化铟产品已通过头部光芯片客户认证并实现批量出货。

随着全球智算中心建设全面提速,数据中心光互联接口正从400G向800G/1.6T/3.2T高速迭代,磷化铟作为高速光模块激光器、光电探测器以及CPO共封装光学芯片不可或缺的基底材料,短期内暂无成熟替代方案。根据多家市场研究机构数据显示,2026年全球磷化铟衬底需求预计达到260万至300万片,而全球合规有效产能仅约75万片,供需缺口超过70%,供应紧张格局或将持续至2030年。下游需求的爆发式增长也带动产品价格大幅上行,2026年上半年磷化铟衬底现货价格涨幅已接近200%,产业链核心环节的盈利优势持续凸显。

据了解,大庆溢泰已制定清晰的两期磷化铟扩产规划:2026年第四季度一期扩建完成后,磷化铟长晶炉数量将达到300台,对应3英寸/4英寸磷化铟衬底年产能提升至25万片;2027年二期扩建落地后,长晶炉总数将扩容至900台,年产能进一步攀升至75万片,同步推进6英寸大尺寸磷化铟衬底的研发攻关。除磷化铟之外,企业还提前布局锗、锑化镓两类前沿半导体材料,分别面向空间光伏、中长波红外探测等高价值赛道,形成多品类协同的产品矩阵。

海川智能相关负责人表示,本次跨界转型并非盲目跟风,而是依托公司二十余年精密制造技术积累、稳健现金流储备,结合实控人在磷化铟产业的深厚资源做出的长期战略选择。通过小比例参股的方式,企业在控制试错成本的前提下拿到半导体新材料赛道的核心入场券,后续将依托上市公司的资本与资源优势,助力标的企业加速产能释放与技术迭代,在AI算力上游核心材料国产替代的浪潮中,构筑公司第二增长曲线。

值得注意的是,本次交易设置了为期两年半的上市对赌兜底条款,若南京集溢未能在2029年1月前完成合格上市,将触发股权回购机制,为上市公司的投资安全提供保障。随着磷化铟产能在2026-2027年持续释放,海川智能的半导体新材料业务有望逐步重构公司业绩增长曲线,长期成长空间将进一步打开。

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