近日，专注于薄膜铌酸锂光芯片研发与产业化的高科技企业——江苏铌奥光电科技有限公司宣布完成近亿元人民币的A+轮融资。本轮融资由金浦智能领投，广州产投、万联广生跟投，公司原有股东南京市创新投资集团、毅达资本继续追加投资。资金将重点投向薄膜铌酸锂光芯片的规模化量产，并加速在智算集群光互联、激光雷达、光计算等前沿领域的技术布局。
铌奥光电成立于2020年7月，核心团队由光电子领域的科学家与业界资深高管组成，长期深耕薄膜铌酸锂技术，取得了多项突破性研究成果。公司已构建起覆盖芯片设计、制造到封装的全链条自主工艺平台，具备大规模量产交付能力。
公司创始人兼董事长蔡鑫伦教授是光电子芯片领域的知名专家。他本硕毕业于华中科技大学，于英国布里斯托尔大学获得博士学位，现任中山大学电子与信息工程学院教授、博士生导师。其团队的研究成果曾入选“中国光学十大进展”，并在国际顶尖光学期刊《Optica》上发表。
产品突破与市场应用
随着人工智能、自动驾驶等新兴应用的加速演进，光芯片在带宽和能耗方面的性能边界正面临严峻挑战。薄膜铌酸锂光芯片凭借其优异电光调制性能与高集成度，成为业界公认的下一代集成光电子核心技术。作为全球极少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业，铌奥光电凭借自主可控的工艺平台和领先的产品研发能力，成功开发出具有超大调制带宽(>110GHz)、超低驱动电压(<1V)以及小尺寸（平方毫米量级）的薄膜铌酸锂电光调制器，并以其为核心构建多种高端光芯片。铌奥光电的高性能芯片是构建高速光互联网络、高性能射频仪器仪表等应用的理想选择。公司已与多家全球头部科技企业达成战略合作，逐步实现用于智算集群内互联的800G/1.6T/3.2TIMDD光芯片、用于智算集群间互联的128GBaudPDMIQ光芯片以及67/110GHz超高带宽强度调制器等高性能产品的规模化应用。
发布全新产品：超低半波电压强度调制器
铌奥光电超低半波电压强度调制器正式发布上市，该产品由我司自主研发并拥有完整知识产权，通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了低于0.5V的超低半波电压（@50kHz）以及15GHz的电光调制带宽。本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
*射频带宽可达15GHz
*半波电压低至0.3/0.5V
发布全新产品：薄膜铌酸锂（TFLN）超高带宽强度调制器（67/110GHz）正式上市
铌奥光电薄膜铌酸锂（TFLN）超高带宽强度调制器（67/110GHz）正式发布上市，该产品由我司自主研发并拥有完整知识产权，通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了最高达110GHz电光调制带宽。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
*射频带宽最高可达110GHz
*半波电压低至3.0V
*插入损耗低至4.5dB
*小器件尺寸（mm）L*W*H=45*10*7
融资历程与发展展望
自成立以来，铌奥光电获得了资本市场持续认可。此前公司于2023年完成了由基石资本领投的数亿元A轮融资。本次A+轮融资的完成，将进一步巩固其在薄膜铌酸锂光芯片领域的全球领先地位，推动核心技术向更广泛的产业前沿拓展。
随着本轮资金的注入，铌奥光电将继续深化技术研发与产业化进程，致力于为数据中心、通信网络、自动驾驶等领域提供更卓越的光芯片解决方案，引领集成光电子技术的新纪元。
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